RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3876
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link