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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
3876
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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