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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
12.2
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
3876
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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