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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
65
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2271
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
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Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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