Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

32 65

Por volta de -103% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

9.8 3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.6 1,592.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 5300

Por volta de 3.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

572 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns