RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
65
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.5
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
4.4
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
56
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
7.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
4.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
1598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link