RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
65
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.5
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.4
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
56
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
7.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
4.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
1598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link