RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
38
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link