RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link