RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
19.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
4129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link