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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno 4% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
25
Velocità di lettura, GB/s
16.0
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
4129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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