RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link