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Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Comparez
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
93
Autour de -151% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
4.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
93
37
Vitesse de lecture, GB/s
5.7
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
4.0
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1024
2143
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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