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Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Compara
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
93
En -151% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
4.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
93
37
Velocidad de lectura, GB/s
5.7
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.0
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1024
2143
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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