Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB

Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Unterschiede

Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    37 left arrow 93
    Rund um -151% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 5.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 4.0
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    93 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5.7 left arrow 13.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.0 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1024 left arrow 2143
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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