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Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
93
Rund um -151% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
4.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
93
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.7
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1024
2143
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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