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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Comparez
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Note globale
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,892.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
22
Vitesse de lecture, GB/s
6,181.5
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,892.9
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
851
3205
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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