RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparez
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Note globale
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
42
Autour de -147% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
17
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1632
3550
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link