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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Comparez
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Note globale
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
14900
12800
Autour de 1.16% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
60
Autour de -107% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
60
29
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.4
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
12800
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1411
2292
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calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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