Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    14900 left arrow 12800
    Intorno 1.16% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 60
    Intorno -107% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.1 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.5 left arrow 5.4
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.8 left arrow 13.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.4 left arrow 8.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14900 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1411 left arrow 2292
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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