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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
総合得点
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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より高いメモリ帯域幅、mbps
14900
12800
周辺 1.16% 高帯域
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
60
周辺 -107% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.1
6.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
5.4
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
29
読み出し速度、GB/s
6.8
13.1
書き込み速度、GB/秒
5.4
8.5
メモリ帯域幅、mbps
14900
12800
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2292
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Frequency (Mhz) *
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