Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

総合得点
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB

相違点

  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 12800
    周辺 1.16% 高帯域
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 60
    周辺 -107% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 5.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.4 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1411 left arrow 2292
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