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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
44
Autour de -19% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
14.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3146
3075
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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