Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Punteggio complessivo
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.6 left arrow 15.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 13.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 44
    Intorno -19% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    44 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.6 left arrow 15.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    14.2 left arrow 13.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3146 left arrow 3075
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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