Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB против Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    16.6 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.2 left arrow 13.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 44
    Около -19% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.6 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    14.2 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3146 left arrow 3075
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения