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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2422
3188
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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