RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
2619
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link