RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
12.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2711
2619
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link