RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno -4% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
28
Velocità di lettura, GB/s
15.8
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2711
2619
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link