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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
2619
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
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