RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
92
Autour de -229% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3663
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM3B8G2H1866K10S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link