RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
92
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3663
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link