RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
92
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3663
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link