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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
92
Autour de -136% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.7
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
39
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1768
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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