RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
92
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
6.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
1768
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link