RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
92
Autour de -197% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3256
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link