RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
92
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3434
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link