RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
92
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3434
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link