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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
64
Autour de -73% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3448
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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