RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
21.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
64
Intorno -73% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
37
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3448
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link