RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
64
Около -73% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3448
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link