RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
64
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3448
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link