RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
45
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
42
45
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
1992
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link