RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1992
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link