RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
45
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
42
45
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
12.3
Скорость записи, Гб/сек
6.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1992
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link