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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 45
    周辺 7% 低遅延
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 12.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 1992

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAMの比較

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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 9905711-032.A00G 8GB
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メモリRAM
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ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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メモリRAM
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Kingston 9905702-012.A00G 8GB
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メモリRAM
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