RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
71
Autour de -137% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2489
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link