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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
71
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3238
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
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