RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3238
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link