RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
71
Autour de -129% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3614
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link