RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3614
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link