RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
71
Autour de -122% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3469
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link